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        高溫球閥常見的被腐蝕的原因

        發布時間:2020-11-25    字號:    
        高溫球閥常見的被腐蝕的原因
         
        高溫氧化的影響,我們需要檢測這些數據:金屬組合物,氣氛組成溫度和曝光時間。但是,眾所周知的是,大多數輕金屬(那些比它們的氧化物更輕)形成一個非保護性的氧化物層,隨著時間的推移越來越厚,就會脫落。也有其他形式的高溫腐蝕包括硫化、滲碳等等。
         
        縫隙腐蝕這種情況都是發生在縫隙中,縫隙阻礙了氧氣的擴散,造成高和低的氧區域,形成溶液濃度的差異。特別是連接件或焊接接頭缺陷處可能出現狹窄的縫隙,其縫寬(一般在0.025~0.1mm)足以使電解質溶液進入,使縫內金屬與縫外金屬構成短路原電池,并且在縫內發生強烈的腐蝕的局部腐蝕。
         
        點蝕當保護膜被破壞或腐蝕產物層分解,就是產生局部腐蝕或點蝕發生。膜破裂形成陽極和而未破裂的膜或腐蝕產物作為陰極,實際上已經建立了一個封閉的電路。在氯離子存在下,一些不銹鋼易點蝕。腐蝕發生時,在金屬表面或粗糙部位,由于這些不為均勻性。
         
        電偶腐蝕當兩個不同的金屬是在接觸和暴露于腐蝕性的液體和電解質,形成原電池,電流使陽極件腐蝕增加電流。腐蝕通常是局部的接觸點附近。減少腐蝕可以通過電鍍異種金屬的方法實現。

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